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IPB144N12N3GATMA1

IPB144N12N3GATMA1

僅供參考

型號 IPB144N12N3GATMA1
PNEDA編號 IPB144N12N3GATMA1
描述 MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 19,242
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPB144N12N3GATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPB144N12N3GATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPB144N12N3GATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)120V
電流-25°C時的連續漏極(Id)56A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14.4mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 61µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs49nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3220pF @ 60V
FET功能-
功耗(最大值)107W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 630µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

34W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

490mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

103nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5120pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 36A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8100pF @ 60V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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