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IPG20N06S4L14ATMA1

IPG20N06S4L14ATMA1

僅供參考

型號 IPG20N06S4L14ATMA1
PNEDA編號 IPG20N06S4L14ATMA1
描述 MOSFET 2N-CH 8TDSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,934
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 14 - 四月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPG20N06S4L14ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPG20N06S4L14ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IPG20N06S4L14ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A
Rds On(Max)@ Id,Vgs13.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 20µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs39nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2890pF @ 25V
功率-最大50W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PG-TDSON-8-4

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Infineon Technologies

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

10mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

63A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1950pF @ 25V

功率-最大

71W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A, 4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

720pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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