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IRF2907ZS-7PPBF

IRF2907ZS-7PPBF

僅供參考

型號 IRF2907ZS-7PPBF
PNEDA編號 IRF2907ZS-7PPBF
描述 MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF2907ZS-7PPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF2907ZS-7PPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF2907ZS-7PPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)160A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.8mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs260nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7580pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK (7-Lead)
包裝/箱TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

77mOhm @ 17A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 220mA, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

360nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10000pF @ 25V

FET功能

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560W (Tc)

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15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3650pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

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