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IRF530A

IRF530A

僅供參考

型號 IRF530A
PNEDA編號 IRF530A
描述 MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,216
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 8 - 一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF530A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF530A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF530A, IRF530A數據表 (總頁數: 9, 大小: 372.33 KB)
PDFIRF530A數據表 封面
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IRF530A規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds790pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)55W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.9A (Ta), 39.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

4000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2530pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

160W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 1.9mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4100pF @ 300V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

270W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

225pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

26.6W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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