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IRF6795MTRPBF

IRF6795MTRPBF

僅供參考

型號 IRF6795MTRPBF
PNEDA編號 IRF6795MTRPBF
描述 MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6795MTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF6795MTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF6795MTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)32A (Ta), 160A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.8mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs53nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4280pF @ 13V
FET功能-
功耗(最大值)2.8W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET™ MX
包裝/箱DirectFET™ Isometric MX

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2250pF @ 25V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.92mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 166W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

530mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 25V

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-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

88nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1707pF @ 100V

FET功能

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