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IRF6797MTRPBF

IRF6797MTRPBF

僅供參考

型號 IRF6797MTRPBF
PNEDA編號 IRF6797MTRPBF
描述 MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET-MX
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,888
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6797MTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF6797MTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF6797MTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)36A (Ta), 210A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 150µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs68nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5790pF @ 13V
FET功能-
功耗(最大值)2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET™ MX
包裝/箱DirectFET™ Isometric MX

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.4A (Ta), 68A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3470pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

128W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 125µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3140pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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