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IRF7210TRPBF

IRF7210TRPBF

僅供參考

型號 IRF7210TRPBF
PNEDA編號 IRF7210TRPBF
描述 MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,052
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7210TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7210TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF7210TRPBF, IRF7210TRPBF數據表 (總頁數: 7, 大小: 547.56 KB)
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IRF7210TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 16A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID600mV @ 500µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs212nC @ 5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds17179pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.95mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26.7nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

115W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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270mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23.6pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

310mW (Ta), 1.67W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

59.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3120pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

280W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 3V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 200mA, 3V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

1.6W (Tc)

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