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IRF7307TRPBF

IRF7307TRPBF

僅供參考

型號 IRF7307TRPBF
PNEDA編號 IRF7307TRPBF
描述 MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 28,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7307TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7307TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7307TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.2A, 4.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds660pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC, 26.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 50V

功率-最大

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V, 8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

660mA, 570mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

385mOhm @ 660mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2100pF @ 20V

功率-最大

75W

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Vishay Siliconix

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TrenchFET®

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.13A, 880mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 1.13A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

570mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

650mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.58nC @ 4.5V

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