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IRF7341QTRPBF

IRF7341QTRPBF

僅供參考

型號 IRF7341QTRPBF
PNEDA編號 IRF7341QTRPBF
描述 MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,146
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7341QTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7341QTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7341QTRPBF, IRF7341QTRPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 213.01 KB)
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IRF7341QTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs44nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds780pF @ 25V
功率-最大2.4W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A, 28A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 15V

功率-最大

29W, 100W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

170A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 85A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

492nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22400pF @ 25V

功率-最大

1250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V, 254pF @ 15V

功率-最大

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A, 15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1324pF @ 15V

功率-最大

1.1W, 1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 11 Leads, Fused Leads

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 22µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3050pF @ 25V

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