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IRF7379TR

IRF7379TR

僅供參考

型號 IRF7379TR
PNEDA編號 IRF7379TR
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7379TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7379TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7379TR, IRF7379TR數據表 (總頁數: 10, 大小: 215.39 KB)
PDFIRF7379TR數據表 封面
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IRF7379TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.8A, 4.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds520pF @ 25V
功率-最大2.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.76nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 15V

功率-最大

2W

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安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

369pF @ 10V, 440pF @ 10V

功率-最大

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.3nC, 6.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF, 305pF @ 15V

功率-最大

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.1nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

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