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IRF7380TRPBF

IRF7380TRPBF

僅供參考

型號 IRF7380TRPBF
PNEDA編號 IRF7380TRPBF
描述 MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 34,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7380TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7380TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7380TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs73mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds660pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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24.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

808pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15pF @ 10V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 13V

功率-最大

1W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1860pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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