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IRF7501TR

IRF7501TR

僅供參考

型號 IRF7501TR
PNEDA編號 IRF7501TR
描述 MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7501TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7501TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7501TR, IRF7501TR數據表 (總頁數: 7, 大小: 143.37 KB)
PDFIRF7501TR數據表 封面
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IRF7501TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds260pF @ 15V
功率-最大1.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝Micro8™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.75Ohm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 15V

功率-最大

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制造商

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 15V

功率-最大

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1950pF @ 25V

功率-最大

71W

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

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