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IRF7754TRPBF

IRF7754TRPBF

僅供參考

型號 IRF7754TRPBF
PNEDA編號 IRF7754TRPBF
描述 MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP
制造商 Infineon Technologies
單價
1 ---------- $12.7768
100 ---------- $12.1779
250 ---------- $11.5790
500 ---------- $10.9801
750 ---------- $10.4810
1,000 ---------- $9.9819
庫存 4
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7754TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7754TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7754TRPBF, IRF7754TRPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 235.08 KB)
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IRF7754TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1984pF @ 6V
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A, 2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 50V

功率-最大

2.5W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 22A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

888pF @ 15V

功率-最大

3.1W (Ta), 17W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1020pF @ 15V

功率-最大

15.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

510mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 510mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 10V

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