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IRF9910

IRF9910

僅供參考

型號 IRF9910
PNEDA編號 IRF9910
描述 MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF9910資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF9910
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF9910, IRF9910數據表 (總頁數: 10, 大小: 279.62 KB)
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IRF9910規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A, 12A
Rds On(Max)@ Id,Vgs13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.55V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds900pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

588pF @ 30V

功率-最大

1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

630mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.74nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12.9pF @ 12V

功率-最大

820mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A, 4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc), 12A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V, 12nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

395pF @ 15V, 730pF @ 15V

功率-最大

19W (Tc), 30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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