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IRFH7882TRPBF

IRFH7882TRPBF

僅供參考

型號 IRFH7882TRPBF
PNEDA編號 IRFH7882TRPBF
描述 MOSFET N-CH 80V 26A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFH7882TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFH7882TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFH7882TRPBF, IRFH7882TRPBF數據表 (總頁數: 8, 大小: 660.68 KB)
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IRFH7882TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列FASTIRFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)26A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs74nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3186pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)4W (Ta), 195W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-PQFN (5x6)
包裝/箱8-VQFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 12.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

127nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2780pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6Ohm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 520µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1420pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

114W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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FET功能

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