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IRFH7923TRPBF

IRFH7923TRPBF

僅供參考

型號 IRFH7923TRPBF
PNEDA編號 IRFH7923TRPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 15 - 二月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFH7923TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFH7923TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFH7923TRPBF, IRFH7923TRPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 268.09 KB)
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IRFH7923TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta), 33A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1095pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PQFN (5x6) Single Die
包裝/箱8-PowerVDFN

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.9A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1405pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 45µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4500pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

45V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3200pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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