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IRFL9110PBF

IRFL9110PBF

僅供參考

型號 IRFL9110PBF
PNEDA編號 IRFL9110PBF
描述 MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,988
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFL9110PBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFL9110PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRFL9110PBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.1A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.7nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta), 3.1W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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2.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

130pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

660mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 51A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

315mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 430µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

910pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

184W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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