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IRFR3711ZTRL

IRFR3711ZTRL

僅供參考

型號 IRFR3711ZTRL
PNEDA編號 IRFR3711ZTRL
描述 MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR3711ZTRL資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR3711ZTRL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR3711ZTRL, IRFR3711ZTRL數據表 (總頁數: 12, 大小: 218.15 KB)
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IRFR3711ZTRL規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)93A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.45V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2160pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)79W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 230µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

480nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

21620pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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-

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.8mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2110pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 75W (Tc)

工作溫度

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