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IRFR3711ZTRPBF

IRFR3711ZTRPBF

僅供參考

型號 IRFR3711ZTRPBF
PNEDA編號 IRFR3711ZTRPBF
描述 MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR3711ZTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR3711ZTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFR3711ZTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)93A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.45V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2160pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)79W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4030pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1113pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

760mW (Ta), 25.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8340pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.5A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1710pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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