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IRG4BC30W-STRLP

IRG4BC30W-STRLP

僅供參考

型號 IRG4BC30W-STRLP
PNEDA編號 IRG4BC30W-STRLP
描述 IGBT 600V 23A 100W D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4BC30W-STRLP資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4BC30W-STRLP
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG4BC30W-STRLP規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)23A
電流-集電極脈沖(Icm)92A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 12A
功率-最大100W
開關能量130µJ (on), 130µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用51nC
25°C時的Td(開/關)25ns/99ns
測試條件480V, 12A, 23Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 4.5V, 10A

功率-最大

125W

開關能量

2.4mJ (on), 5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

STGD14NC60KT4

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

PowerMESH™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 7A

功率-最大

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82µJ (on), 155µJ (off)

輸入類型

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34.4nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

390V, 7A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

DPAK

制造商

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 35A

功率-最大

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開關能量

840µJ (on), 280µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

125nC

25°C時的Td(開/關)

72ns/132ns

測試條件

400V, 35A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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