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IRG8CH137K10F

IRG8CH137K10F

僅供參考

型號 IRG8CH137K10F
PNEDA編號 IRG8CH137K10F
描述 IGBT CHIP WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,114
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG8CH137K10F資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG8CH137K10F
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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IRG8CH137K10F規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)150A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 150A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用820nC
25°C時的Td(開/關)115ns/570ns
測試條件600V, 150A, 2Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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60A

電流-集電極脈沖(Icm)

70A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 35A

功率-最大

250W

開關能量

1.6mJ (on), 800µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

300V, 35A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 15A

功率-最大

160W

開關能量

320µJ (on), 356µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

42nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/44ns

測試條件

300V, 15A, 13Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 40A

功率-最大

62.5W

開關能量

456µJ (on), 411µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

226nC

25°C時的Td(開/關)

52ns/208ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

41ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

電流-集電極脈沖(Icm)

140A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 50A

功率-最大

300W

開關能量

1.25mJ (on), 530µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

128nC

25°C時的Td(開/關)

75ns/128ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

70ns

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