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IRGC4060B

IRGC4060B

僅供參考

型號 IRGC4060B
PNEDA編號 IRGC4060B
描述 IGBT CHIP WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRGC4060B資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRGC4060B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IRGC4060B, IRGC4060B數據表 (總頁數: 2, 大小: 95.63 KB)
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IRGC4060B數據表 頁面 2

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IRGC4060B規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

500A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 100A

功率-最大

460W

開關能量

230µJ (on), 520µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

162nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/105ns

測試條件

200V, 50A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

18A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.75V @ 15V, 5A

功率-最大

62.5W

開關能量

45µJ (on), 105µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

23nC

25°C時的Td(開/關)

9.5ns/87ns

測試條件

400V, 5A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IXYS

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

200W

開關能量

1mJ (on), 1.4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

300V, 30A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

70ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

430V

當前-集電極(Ic)(最大值)

21A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

17nC

25°C時的Td(開/關)

-/4.8µs

測試條件

300V, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

59A

電流-集電極脈沖(Icm)

72A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.77V @ 15V, 24A

功率-最大

246W

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532µJ (on), 311µJ (off)

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