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IRL3715ZPBF

IRL3715ZPBF

僅供參考

型號 IRL3715ZPBF
PNEDA編號 IRL3715ZPBF
描述 MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL3715ZPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL3715ZPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRL3715ZPBF, IRL3715ZPBF數據表 (總頁數: 13, 大小: 269.29 KB)
PDFIRL3715ZSTRLPBF數據表 封面
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IRL3715ZPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.55V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds870pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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2.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 2.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1177pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

39W (Tc)

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MOSFET (Metal Oxide)

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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225mW (Ta)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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1.5W (Ta)

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FET功能

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功耗(最大值)

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安裝類型

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