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PMZB790SN,315

PMZB790SN,315

僅供參考

型號 PMZB790SN,315
PNEDA編號 PMZB790SN-315
描述 MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMZB790SN資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMZB790SN,315
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PMZB790SN, PMZB790SN數據表 (總頁數: 14, 大小: 327.78 KB)
PDFPMZB790SN數據表 封面
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PMZB790SN規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)650mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs940mOhm @ 300mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.37nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds35pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)360mW (Ta), 2.7W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DFN1006B-3
包裝/箱3-XFDFN

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A (Ta), 80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83nC @ 10V

Vgs(最大)

+16V, -12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4450pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

PowerPAK® 1212-8S

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-

FET類型

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技術

SiCFET (Silicon Carbide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

41A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2560pF @ 1000V

FET功能

-

功耗(最大值)

273W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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NTD4858NT4G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.2A (Ta), 73A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1563pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta), 54.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Ta), 166A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3890pF @ 13V

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-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

114W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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