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IRL640STRLPBF

IRL640STRLPBF

僅供參考

型號 IRL640STRLPBF
PNEDA編號 IRL640STRLPBF
描述 MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 19,440
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRL640STRLPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRL640STRLPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRL640STRLPBF, IRL640STRLPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 990.05 KB)
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IRL640STRLPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs180mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs66nC @ 5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

500nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-264 (IXTK)

包裝/箱

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Nexperia

制造商

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

79A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1650pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

94.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

LFPAK56, Power-SO8

包裝/箱

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

730mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3Ohm @ 590mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-SOT223

包裝/箱

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Infineon Technologies

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45Ohm @ 120mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 94µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.9nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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