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IRLZ44ZSTRLPBF

IRLZ44ZSTRLPBF

僅供參考

型號 IRLZ44ZSTRLPBF
PNEDA編號 IRLZ44ZSTRLPBF
描述 MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRLZ44ZSTRLPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRLZ44ZSTRLPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRLZ44ZSTRLPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)51A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs13.5mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1620pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)80W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1670pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

260A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 38A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5890pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

330W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 10V

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

88mOhm @ 15.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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