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IS42S32200L-7B-TR

IS42S32200L-7B-TR

僅供參考

型號 IS42S32200L-7B-TR
PNEDA編號 IS42S32200L-7B-TR
描述 IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 4,824
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S32200L-7B-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S32200L-7B-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S32200L-7B-TR, IS42S32200L-7B-TR數據表 (總頁數: 59, 大小: 1,309.99 KB)
PDFIS42S32200L-7BI數據表 封面
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IS42S32200L-7B-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小64Mb (2M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率143MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存格式

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技術

SDRAM

內存大小

64Mb (2M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

64Mb (2M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 2.4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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