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IS45S16160D-7TLA2-TR

IS45S16160D-7TLA2-TR

僅供參考

型號 IS45S16160D-7TLA2-TR
PNEDA編號 IS45S16160D-7TLA2-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS45S16160D-7TLA2-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS45S16160D-7TLA2-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS45S16160D-7TLA2-TR, IS45S16160D-7TLA2-TR數據表 (總頁數: 64, 大小: 990.95 KB)
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IS45S16160D-7TLA2-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率143MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝54-TSOP II

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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時鐘頻率

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內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

4Gb (128M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1866MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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