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IXBH16N170

IXBH16N170

僅供參考

型號 IXBH16N170
PNEDA編號 IXBH16N170
描述 IGBT 1700V 40A 250W TO247AD
制造商 IXYS
單價
1 ---------- $140.5897
50 ---------- $133.9996
100 ---------- $127.4094
200 ---------- $120.8193
400 ---------- $115.3275
500 ---------- $109.8357
庫存 272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXBH16N170資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXBH16N170
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXBH16N170, IXBH16N170數據表 (總頁數: 5, 大小: 176.44 KB)
PDFIXBH16N170數據表 封面
IXBH16N170數據表 頁面 2 IXBH16N170數據表 頁面 3 IXBH16N170數據表 頁面 4 IXBH16N170數據表 頁面 5

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IXBH16N170規格

制造商IXYS
系列BIMOSFET™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.3V @ 15V, 16A
功率-最大250W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用72nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)1.32µs
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXBH)

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IXYS

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PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

115A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 24A

功率-最大

270W

開關能量

550µJ (on), 500µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

39nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/97ns

測試條件

400V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247 (IXXH)

STGWT80V60F

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 80A

功率-最大

469W

開關能量

1.8mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

448nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/220ns

測試條件

400V, 80A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3P

IRG4RC10SDTRRP

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 8A

功率-最大

38W

開關能量

310µJ (on), 3.28mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

76ns/815ns

測試條件

480V, 8A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

D-Pak

制造商

IXYS

系列

BIMOSFET™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

104A

電流-集電極脈沖(Icm)

400A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 42A

功率-最大

500W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

72ns/445ns

測試條件

1500V, 42A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

1.7µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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16.5A

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1mJ

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門禁費用

70nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/440ns

測試條件

800V, 8A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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