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IXDR35N60BD1

IXDR35N60BD1

僅供參考

型號 IXDR35N60BD1
PNEDA編號 IXDR35N60BD1
描述 IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDR35N60BD1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDR35N60BD1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXDR35N60BD1, IXDR35N60BD1數據表 (總頁數: 4, 大小: 116.72 KB)
PDFIXDR35N60BD1數據表 封面
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IXDR35N60BD1規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)38A
電流-集電極脈沖(Icm)48A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 35A
功率-最大125W
開關能量1.6mJ (on), 800µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用140nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件300V, 35A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)40ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱ISOPLUS247™
供應商設備包裝ISOPLUS247™

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

ISOPLUS247™

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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75A

電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 30A

功率-最大

463W

開關能量

280µJ (on), 240µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

225nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/150ns

測試條件

390V, 30A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

55ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-247-3

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ON Semiconductor

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 15A

功率-最大

186W

開關能量

3mJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/160ns

測試條件

600V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

330ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

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反向恢復時間(trr)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

268W

開關能量

1.01mJ (on), 297µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

72.2nC

25°C時的Td(開/關)

19.2ns/65.6ns

測試條件

400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

31.8ns

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