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IXFC22N60P

IXFC22N60P

僅供參考

型號 IXFC22N60P
PNEDA編號 IXFC22N60P
描述 MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFC22N60P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFC22N60P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFC22N60P, IXFC22N60P數據表 (總頁數: 5, 大小: 231.45 KB)
PDFIXFC22N60P數據表 封面
IXFC22N60P數據表 頁面 2 IXFC22N60P數據表 頁面 3 IXFC22N60P數據表 頁面 4 IXFC22N60P數據表 頁面 5

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IXFC22N60P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs360mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs58nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)130W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS220™
包裝/箱ISOPLUS220™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Renesas Electronics America

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-

FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

265mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3830pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

334pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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