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IXFN180N20

IXFN180N20

僅供參考

型號 IXFN180N20
PNEDA編號 IXFN180N20
描述 MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN180N20資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN180N20
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFN180N20, IXFN180N20數據表 (總頁數: 2, 大小: 85.69 KB)
PDFIXFN180N20數據表 封面
IXFN180N20數據表 頁面 2

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IXFN180N20規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)180A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs660nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds22000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)700W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® ChipFet Single

包裝/箱

PowerPAK® ChipFET™ Single

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24.2nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1407pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2722pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.9mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

115nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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