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IXFN26N100P

IXFN26N100P

僅供參考

型號 IXFN26N100P
PNEDA編號 IXFN26N100P
描述 MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,016
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFN26N100P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFN26N100P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFN26N100P, IXFN26N100P數據表 (總頁數: 4, 大小: 110.04 KB)
PDFIXFN26N100P數據表 封面
IXFN26N100P數據表 頁面 2 IXFN26N100P數據表 頁面 3 IXFN26N100P數據表 頁面 4

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IXFN26N100P規格

制造商IXYS
系列Polar™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)23A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs390mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs197nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)595W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.5A (Ta), 56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

730mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 147W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1345pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

130W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

286mOhm @ 9A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

7V @ 4.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 15V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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