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IXFR180N085

IXFR180N085

僅供參考

型號 IXFR180N085
PNEDA編號 IXFR180N085
描述 MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,814
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFR180N085資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFR180N085
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFR180N085, IXFR180N085數據表 (總頁數: 2, 大小: 34.6 KB)
PDFIXFR180N085數據表 封面
IXFR180N085數據表 頁面 2

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IXFR180N085規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)85V
電流-25°C時的連續漏極(Id)180A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs320nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)400W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS247™
包裝/箱ISOPLUS247™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4730pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

460nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

32000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 6.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

665pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 10.9W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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18A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

-

工作溫度

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