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RS3E180ATTB1

RS3E180ATTB1

僅供參考

型號 RS3E180ATTB1
PNEDA編號 RS3E180ATTB1
描述 RS3E180AT IS A POWER MOSFET FOR
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,920
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS3E180ATTB1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS3E180ATTB1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RS3E180ATTB1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.4mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs160nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7200pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.4W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

340mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1780pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

277.8W (Tc)

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安裝類型

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FET類型

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

33W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2650pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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