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IXFR26N50

IXFR26N50

僅供參考

型號 IXFR26N50
PNEDA編號 IXFR26N50
描述 MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFR26N50資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFR26N50
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFR26N50, IXFR26N50數據表 (總頁數: 2, 大小: 34.32 KB)
PDFIXFR26N50數據表 封面
IXFR26N50數據表 頁面 2

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IXFR26N50規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)26A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs200mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs160nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)250W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS247™
包裝/箱ISOPLUS247™

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

690pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2180pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

800mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

235mOhm @ 800mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

55pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

140mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

70pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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