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IXTA80N12T2

IXTA80N12T2

僅供參考

型號 IXTA80N12T2
PNEDA編號 IXTA80N12T2
描述 MOSFET N-CH 120V 80A TO-263
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTA80N12T2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTA80N12T2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTA80N12T2, IXTA80N12T2數據表 (總頁數: 6, 大小: 197.94 KB)
PDFIXTA80N12T2數據表 封面
IXTA80N12T2數據表 頁面 2 IXTA80N12T2數據表 頁面 3 IXTA80N12T2數據表 頁面 4 IXTA80N12T2數據表 頁面 5 IXTA80N12T2數據表 頁面 6

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IXTA80N12T2規格

制造商IXYS
系列TrenchT2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)120V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs80nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4740pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)325W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (IXTA)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 25V

FET功能

Current Sensing

功耗(最大值)

74W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

61A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 7V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 37A, 7V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

89W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta), 105W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2712pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

117W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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