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IXTV30N50P

IXTV30N50P

僅供參考

型號 IXTV30N50P
PNEDA編號 IXTV30N50P
描述 MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTV30N50P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTV30N50P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTV30N50P, IXTV30N50P數據表 (總頁數: 5, 大小: 336.88 KB)
PDFIXTV30N50PS數據表 封面
IXTV30N50PS數據表 頁面 2 IXTV30N50PS數據表 頁面 3 IXTV30N50PS數據表 頁面 4 IXTV30N50PS數據表 頁面 5

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IXTV30N50P規格

制造商IXYS
系列PolarHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs200mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs70nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4150pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)460W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS220
包裝/箱TO-220-3, Short Tab

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 38A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 93µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

158W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

55W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

154mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1790pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 29.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

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