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IXTX6N200P3HV

IXTX6N200P3HV

僅供參考

型號 IXTX6N200P3HV
PNEDA編號 IXTX6N200P3HV
描述 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTX6N200P3HV資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTX6N200P3HV
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTX6N200P3HV, IXTX6N200P3HV數據表 (總頁數: 5, 大小: 176.69 KB)
PDFIXTX6N200P3HV數據表 封面
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IXTX6N200P3HV規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)2000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs143nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)960W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247PLUS-HV
包裝/箱TO-247-3 Variant

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

235nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3750pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

270W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.5mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 142W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 118µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

165nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13000pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

188W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 270µA

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13800pF @ 60V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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