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IXTY50N085T

IXTY50N085T

僅供參考

型號 IXTY50N085T
PNEDA編號 IXTY50N085T
描述 MOSFET N-CH 85V 50A TO-252
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,358
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTY50N085T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTY50N085T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTY50N085T, IXTY50N085T數據表 (總頁數: 5, 大小: 171.13 KB)
PDFIXTY50N085T數據表 封面
IXTY50N085T數據表 頁面 2 IXTY50N085T數據表 頁面 3 IXTY50N085T數據表 頁面 4 IXTY50N085T數據表 頁面 5

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IXTY50N085T規格

制造商IXYS
系列TrenchMV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)85V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs23mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs34nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1460pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)130W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

157nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9400pF @ 25V

FET功能

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

-

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

21mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 16mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 8µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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