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J112-D27Z

J112-D27Z

僅供參考

型號 J112-D27Z
PNEDA編號 J112-D27Z
描述 JFET N-CH 35V 625MW TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J112-D27Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J112-D27Z
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
J112-D27Z, J112-D27Z數據表 (總頁數: 7, 大小: 156.22 KB)
PDFJ112RLRAG數據表 封面
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J112-D27Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)35V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)5mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID1V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)50 Ohms
功率-最大625mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

250 Ohms

功率-最大

225mW

工作溫度

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175mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

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10V @ 500pA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100µA @ 2V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

100mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.1pF @ 2V

電阻-RDS(On)

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功率-最大

100mW

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 15V

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