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J112G

J112G

僅供參考

型號 J112G
PNEDA編號 J112G
描述 JFET N-CH 35V 0.35W TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J112G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J112G
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
J112G, J112G數據表 (總頁數: 7, 大小: 156.22 KB)
PDFJ112RLRAG數據表 封面
J112RLRAG數據表 頁面 2 J112RLRAG數據表 頁面 3 J112RLRAG數據表 頁面 4 J112RLRAG數據表 頁面 5 J112RLRAG數據表 頁面 6 J112RLRAG數據表 頁面 7

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J112G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)35V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)5mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID1V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)50 Ohms
功率-最大350mW
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

60mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

6V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 15V

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

500mW

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

80mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

8 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

8 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

900µA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

625mW

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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