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JAN1N5807US

JAN1N5807US

僅供參考

型號 JAN1N5807US
PNEDA編號 JAN1N5807US
描述 DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN1N5807US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN1N5807US
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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JAN1N5807US規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/477
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果875mV @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F60pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, B
供應商設備包裝B, SQ-MELF
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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850mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 6A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 650V

電容@ Vr,F

300pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

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