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JAN2N5152L

JAN2N5152L

僅供參考

型號 JAN2N5152L
PNEDA編號 JAN2N5152L
描述 TRANS NPN 80V 2A TO5
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,178
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N5152L資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N5152L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N5152L規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/544
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 2.5A, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-5

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4.3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

215mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 1V

功率-最大

1.5W

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

35V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 10V

功率-最大

5W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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5A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 60mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

450 @ 500mA, 2V

功率-最大

550mW

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