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JANTXV2N5012

JANTXV2N5012

僅供參考

型號 JANTXV2N5012
PNEDA編號 JANTXV2N5012
描述 NPN TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N5012資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N5012
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N5012規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/727
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)700V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 25mA, 10V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-5

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 150mA, 7.5A

當前-集電極截止(最大值)

200µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 7.5A, 3V

功率-最大

70W

頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 10mA, 2V

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當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極截止(最大值)

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