Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

JS28F512M29EWH0

JS28F512M29EWH0

僅供參考

型號 JS28F512M29EWH0
PNEDA編號 JS28F512M29EWH0
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JS28F512M29EWH0資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JS28F512M29EWH0
類別半導體內存IC內存
數據表
JS28F512M29EWH0, JS28F512M29EWH0數據表 (總頁數: 120, 大小: 2,027.59 KB)
PDFJS28F512M29EWL0數據表 封面
JS28F512M29EWL0數據表 頁面 2 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 3 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 4 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 5 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 6 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 7 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 8 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 9 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 10 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

在PNEDA,我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。

我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的:

  • 及時響應

    我們的團隊會迅速響應您的要求,並立即開始尋找您的零件。

  • 保證質量

    我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時,防止假冒產品。

  • 全局訪問

    我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。

Hot search vocabulary

  • JS28F512M29EWH0 Datasheet
  • where to find JS28F512M29EWH0
  • Micron Technology Inc.

  • Micron Technology Inc. JS28F512M29EWH0
  • JS28F512M29EWH0 PDF Datasheet
  • JS28F512M29EWH0 Stock

  • JS28F512M29EWH0 Pinout
  • Datasheet JS28F512M29EWH0
  • JS28F512M29EWH0 Supplier

  • Micron Technology Inc. Distributor
  • JS28F512M29EWH0 Price
  • JS28F512M29EWH0 Distributor

JS28F512M29EWH0規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8, 32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁110ns
訪問時間110ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP

您可能感興趣的產品

AT27C010-55TC

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP

IDT71V35761S200PF8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

IDT6116SA35TP

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

24-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

24-PDIP

IS46LR16320B-6BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-TFBGA

供應商設備包裝

60-TFBGA (8x10)

71256S85DB

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-CDIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

28-CerDip

最近成交

BYW80-200G

BYW80-200G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2

JANTX1N4148-1

JANTX1N4148-1

Microsemi

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

TSOP36236TT

TSOP36236TT

Vishay Semiconductor Opto Division

SENSOR REMOTE REC 36.0KHZ 45M

ATXMEGA32E5-AUR

ATXMEGA32E5-AUR

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 32KB FLASH 32TQFP

AD9240AS

AD9240AS

Analog Devices

IC ADC 14BIT PIPELINED 44MQFP

ERA-3AEB101V

ERA-3AEB101V

Panasonic Electronic Components

RES SMD 100 OHM 0.1% 1/10W 0603

SP3003-02JTG

SP3003-02JTG

Littelfuse

TVS DIODE 6V 15V SC70-5

BCV62C,215

BCV62C,215

Nexperia

TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B

AP2202K-3.3TRG1

AP2202K-3.3TRG1

Diodes Incorporated

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5

BC817-16

BC817-16

Diodes Incorporated

TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3

IRFR5505TRPBF

IRFR5505TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC