Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

JS28F512M29EWH0

JS28F512M29EWH0

僅供參考

型號 JS28F512M29EWH0
PNEDA編號 JS28F512M29EWH0
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JS28F512M29EWH0資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JS28F512M29EWH0
類別半導體內存IC內存
數據表
JS28F512M29EWH0, JS28F512M29EWH0數據表 (總頁數: 120, 大小: 2,027.59 KB)
PDFJS28F512M29EWL0數據表 封面
JS28F512M29EWL0數據表 頁面 2 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 3 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 4 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 5 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 6 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 7 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 8 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 9 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 10 JS28F512M29EWL0數據表 頁面 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

在PNEDA,我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。

我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的:

  • 及時響應

    我們的團隊會迅速響應您的要求,並立即開始尋找您的零件。

  • 保證質量

    我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時,防止假冒產品。

  • 全局訪問

    我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。

Hot search vocabulary

  • JS28F512M29EWH0 Datasheet
  • where to find JS28F512M29EWH0
  • Micron Technology Inc.

  • Micron Technology Inc. JS28F512M29EWH0
  • JS28F512M29EWH0 PDF Datasheet
  • JS28F512M29EWH0 Stock

  • JS28F512M29EWH0 Pinout
  • Datasheet JS28F512M29EWH0
  • JS28F512M29EWH0 Supplier

  • Micron Technology Inc. Distributor
  • JS28F512M29EWH0 Price
  • JS28F512M29EWH0 Distributor

JS28F512M29EWH0規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8, 32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁110ns
訪問時間110ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP

您可能感興趣的產品

S25FL128LAGMFA013

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

Automotive, AEC-Q100, FL-L

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

MT40A256M16GE-083E IT:B TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.2GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

96-FBGA (9x14)

N25Q064A13ESF40E

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (16M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SO W

CY7C0251-25AXC

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

144Kb (8K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

71256S85DB

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-CDIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

28-CerDip

最近成交

WSL2512R0250FEA

WSL2512R0250FEA

Vishay Dale

RES 0.025 OHM 1% 1W 2512

PESD12VS1UB,115

PESD12VS1UB,115

Nexperia

TVS DIODE 12V 35V SOD523

MAX333AEWP

MAX333AEWP

Maxim Integrated

IC SWITCH QUAD SPDT 20SOIC

LG Q971-KN-1

LG Q971-KN-1

OSRAM Opto Semiconductors Inc.

LED GREEN DIFFUSED SMD

IS42S16160G-7BLI-TR

IS42S16160G-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

MMBD7000LT1G

MMBD7000LT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23

7447709330

7447709330

Wurth Electronics

FIXED IND 33UH 4.2A 45 MOHM SMD

CY2305SXI-1HT

CY2305SXI-1HT

Cypress Semiconductor

IC CLK ZDB 5OUT 133MHZ 8SOIC

0217002.MXP

0217002.MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 2A 250VAC 5X20MM

MAX3232EUE+T

MAX3232EUE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

EDF1DS-E3/77

EDF1DS-E3/77

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

MC79M12CDTRKG

MC79M12CDTRKG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR -12V 500MA DPAK