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KSP10TA

KSP10TA

僅供參考

型號 KSP10TA
PNEDA編號 KSP10TA
描述 RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSP10TA資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSP10TA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
KSP10TA, KSP10TA數據表 (總頁數: 7, 大小: 169.52 KB)
PDFKSP10TA數據表 封面
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KSP10TA規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

18dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-343F

供應商設備包裝

4-MCPH

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.09GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8.6dB

功率-最大

1458W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55ST-1

供應商設備包裝

55ST-1

AT-30533-TR1G

Broadcom

制造商

Broadcom Limited

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

增益

11dB ~ 13dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23

EC3H02BA-TL-H

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

增益

8.5dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 20mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

3-XFDFN

供應商設備包裝

3-ECSP1006

MPA201HS

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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