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MDS800

MDS800

僅供參考

型號 MDS800
PNEDA編號 MDS800
描述 RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MDS800資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MDS800
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MDS800規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)65V
頻率-過渡1.09GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益8.6dB
功率-最大1458W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 1A, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱55ST-1
供應商設備包裝55ST-1

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增益

20dB

功率-最大

1.5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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工作溫度

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

25W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 200mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

工作溫度

200°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

20dB

功率-最大

1.5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400mA

工作溫度

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安裝類型

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

增益

-

功率-最大

625mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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