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LSM840GE3/TR13

LSM840GE3/TR13

僅供參考

型號 LSM840GE3/TR13
PNEDA編號 LSM840GE3-TR13
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 8A DO215AB
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

LSM840GE3/TR13資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號LSM840GE3/TR13
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
LSM840GE3/TR13, LSM840GE3/TR13數據表 (總頁數: 2, 大小: 103.33 KB)
PDFLSM845JE3數據表 封面
LSM845JE3數據表 頁面 2

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LSM840GE3/TR13規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果520mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr2mA @ 40V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-215AB, SMC Gull Wing
供應商設備包裝DO-215AB
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

15µs

當前-反向泄漏@ Vr

150mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-200AB, B-PUK

工作溫度-結點

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200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.14V @ 10A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.6µs

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 200V

電容@ Vr,F

78pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

-

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

70V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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