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M29F400BT70N6E

M29F400BT70N6E

僅供參考

型號 M29F400BT70N6E
PNEDA編號 M29F400BT70N6E
描述 IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,560
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29F400BT70N6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29F400BT70N6E
類別半導體內存IC內存

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M29F400BT70N6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小4Mb (512K x 8, 256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

150ns

訪問時間

150ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

36Kb (4K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

60µs, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

5µs, 3ms

訪問時間

-

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工作溫度

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